一纸公告 巨头涨停!长电科技加强存储封测布局
2024-06-07 【 字体:大 中 小 】
一纸收购,最新市值500亿元的长电科技涨停了。
消息面上,3月4日晚间,长电科技公告,公司全资子公司长电科技管理有限公司(下称“长电管理公司”)拟以现金方式收购晟碟半导体(上海)有限公司(下称“晟碟半导体”)80%的股权,收购对价约6.24亿美元(最终价格将根据交割前后的现金、负债和净营运资金等情况进行惯常的交割调整)。
这项收购为什么被市场看好?
根据公告,晟碟半导体是全球知名存储器厂商西部数据(Western Digital Corporation)的全资子公司,且资产颇为优质。
晟碟半导体成立于2006年,位于上海市闵行区,主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。产品广泛应用于移动通信、工业与物联网、汽车、智能家居及消费终端等领域。其工厂高度自动化,拥有较高的生产效率,是一家在质量、运营、可持续发展等方面屡获大奖的“灯塔工厂”。财务数据显示,晟碟半导体2022年、2023年1-6月的净利润分别为35732.06万元、22158.08万元。
不过,相较于好业绩,投资者更看重的或许是:在AI带动HBM存储大热的当下,尽管晟碟半导体的业务是闪存封装,但长电科技或许可以借此机会,逐步切入到整个半导体存储的封测领域。
一个需要提及的背景是,AI大发展带动AI服务器出货量持续提升,催化HBM需求持续增长。咨询公司Trendforce数据显示,2022年AI服务器出货量86万台,预计2026年AI服务器出货量将超过200万台,年复合增速29%。AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,叠加服务器平均HBM容量增加,预期到2025年,全球HBM市场规模达到约150亿美元,增速超过50%。
从封装结构看,HBM主要采用CoWoS和TSV两种先进封装工艺。当前,HBM与GPU集成的主流解决方案为台积电的CoWoS封装工艺,该方案被广泛应用于A100、GH200等算力芯片中。HBM层与层之间通过TSV(硅通孔)及μbumps(微凸块)技术实现垂直互联,从而实现小尺寸与高带宽、高传输速度的兼容。
在先进封装方面,长电科技在2023年半年报中披露,公司与客户共同开发基于高密度Fanout封装技术的2.5DfcBGA产品,TSV异质键合3DSoC的fcBGA已经通过认证。在半导体存储市场领域,公司的封测服务覆盖DRAM、Flash等各种存储芯片产品,拥有20多年memory封装量产经验,16层NAND flash堆叠,35um超薄芯片制程能力,Hybrid异型堆叠等,都处于国内行业领先的地位。
2月8日,长电科技还在上证e互动平台上披露,公司推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持高带宽存储的封装要求。
长电科技另外披露,公司于2021年推出了针对2.5D、3D封装要求的多维扇出封装集成的XDFOI技术平台,目前已与国内外大客户在Chiplet的产品研发及推出方面进行合作;并在过去几年持续推进多样化方案的研发、量产及全球布局。公司的XDFOI技术平台覆盖当前市场上的主流2.5D Chiplet方案,分别是以再布线层(RDL)转接板、硅转接板和硅桥为中介层的三种技术路径,且均已具备生产能力。
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